二极管、三极管 |
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东芝将量产SiC制肖特基势垒二极管,可将元件损失减半 |
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http://cn.newmaker.com
3/22/2013 9:26:00 AM
日经BP社
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东芝于2013年3月19日宣布,将从2013年3月底开始在该公司的姬路半导体工厂量产SiC功率半导体产品。最初量产的是SiC肖特基势垒二极管“TRS12E65C”。 新产品可用于服务器电源、光伏发电用功率调节器等用途,与以往的Si二极管相比,在电源用途可将元件损失降低50%以上(与该公司产品的比较)。新产品的反向重复峰值电压VRRM为650V,平均正向电流IFM为12A,正向电压VF为1.7V(正向电流为12A时的最大值),反向重复峰值电流IRRM为90μA(反向重复峰值电压为650V时的最大值)。
TRS12E65C的量产规模预定为100万个/月。东芝预测,采用SiC的功率半导体市场到2020年将增长至目前的约10倍,今后该公司将继续通过增加符合市场需求的新产品来强化业务,争取在2020年使市场份额达到30%。(记者:小岛 郁太郎,Tech-On!编辑)
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