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Vishay Siliconix发布用于功率MOSFET的免费在线仿真工具ThermaSim 3.0版
http://cn.newmaker.com 3/5/2013 4:55:00 PM  佳工机电网
Vishay Siliconix发布用于功率MOSFET的免费在线仿真工具ThermaSim 3.0版更强大的在线热仿真工具让使用者能够定义更多的真实条件,同时用户使用更加友好

宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 3 月5 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于功率MOSFET、microBUCK® 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。为精确分析仿真的温度曲线,功能强大的最新版本ThermaSim引入了很多关键特性,比如裸片温度对功率耗散的时间缩放功能,定义更多的真实条件以提高仿真精度和设计灵活性,减轻对用户使用经验的要求。

其他热仿真工具只能进行封装级的仿真,而ThermaSim使用有限元分析(FEA)技术来提高精度。这款免费在线工具在高电流、高温应用中特别有用,例如汽车、固网通信、桌面和笔记本电脑,以及工业系统。最新版本的仿真工具还非常适合裕量小的设计,以及会受UIS(未钳位的电感开关)和汽车抛负载等瞬态情况影响的应用。

ThermaSim可帮助设计者在产品原型前对Vishay Siliconix的功率MOSFET、IC和DrMOS产品进行详尽的热仿真,从而缩短上市时间。对于高可信设计,ThermaSim 3.0在很多方面提供了大量新的和改进的功能;可到http://www.vishay.com/doc?49641找到详细介绍,并包括以下内容:

瞬态热仿真(仅对MOSFET):

对仿真的功率耗散数据进行时间缩放(最大1000级),提高设计可靠性。这种方法可以在仿真曲线的时间段上的多个位置进行缩放,对高功率脉冲(kW级)及持续时间短(≥1ns)的情况特别有用。此外,工具能够以最初MOSFET裸片面积的10%、15%或25%作为散热区,以便对低栅极驱动和漏源电压尖峰等情况进行更好的分析。

改善用户体验:

为节省时间和消除可能的数据录入错误,ThermaSim 3.0允许用户上传Excel®格式的功率曲线数据包,可根据需要的次数反复上传数据包,当需要的时候用户之间可交换仿真结果和整个设计的副本。另外,强大的工具用图形显示的方式在PCB上摆放元器件。

根据“真实条件”进行仿真:

用户甚至可以定义更多的条件,包括在顶层和底层PCB板上的铜扩散,焊锡厚度,焊点质量,气隙,胶/隔离层的厚度,以及在PCB上或PCB外的导线端接。

高效仿真:

异步重新加载和web接口(Ajax),以及负载均衡和高网格解析度,能更快得到仿真结果。

ThermaSim 3.0现提供在线免费使用,网址http://www.vishay.com/mosfets/thermasim。

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