Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET® Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻
器件在4.5V下具有业内较低的13.5mΩ导通电阻，占位面积为2mm x 2mm和22mm x 3mm x 1.8mm
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si5429DU，扩充其TrenchFET® Gen III系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点，在4.5V下具有相应外形尺寸产品中最低的导通电阻。
12V SiA447DJ采用超小尺寸的PowerPAK SC-70封装，在4.5V下的导通电阻为13.5mΩ，比最接近的同档器件低12%，在2.5V、1.8V和1.5V下的导通电阻为19.4mΩ、35mΩ和71mΩ。30V Si5429DU是首款采用3mm x 1.8mm尺寸规格的Gen III P通道MOSFET，在4.5V下的导通电阻为22mΩ，比最接近的竞争器件低35%，在10V下具有业内较低的15mΩ导通电阻。
