GLOBALFOUNDRIES推出下一代FinFET晶体管架构 - 新闻


		我的佳工网手机版 English
		关键字

选择展区 >>




您的位置：首页 > 电子元器件及材料展区 > 二极管、三极管展厅 > 产品库 > 晶体管 > 新闻 > 正文	产品会展人才帮助 \| 注册登录

二极管、三极管

	按行业筛选

	按产品筛选


本产品全部新闻

e展厅

产品库

视频

新闻

市场动态 \| 技术动态 \| 企业新闻 \| 图片新闻 \| 新闻评论	佳工网行业新闻--给您更宽的视角	发表企业新闻投稿

GLOBALFOUNDRIES推出下一代FinFET晶体管架构

http://cn.newmaker.com 9/25/2012 9:50:00 AM 佳工机电网

欢迎访问e展厅
展厅 1	二极管、三极管展厅晶体管, LED, 二极管, 高压二极管, 三极管, ...

GLOBALFOUNDRIES日前推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路图。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技术将为客户展现三维 “FinFET”晶体管的性能和功耗优势，不仅风险更低，而且能够更快速地推向市场，从而帮助无晶圆厂生态系统在保持其移动市场领先地位的同时，开发新一代智能移动设备。

XM是eXtreme Mobility的缩写，作为业界领先的非平面结构，它真正为移动系统级芯片（SoC）设计做了优化，能提供从晶体管到系统级的全方位产品解决方案。与目前20纳米节点的二维平面晶体管相比，该技术可望实现电池功耗效率提升40%~60%。

14 nm-XM技术采用模块化技术架构，完美结合了14纳米FinFET器件与GLOBALFOUNDRIES公司即将量产的20纳米LPM制程技术。运用成熟的20nm-LPM技术，能让想利用FinFET SoC优势的客户，最快的实现顺利迁移。技术研发工作已经展开，测试硅片正在GLOBALFOUNDRIES公司设于纽约萨拉托加县的Fab 8晶圆厂接受测试。早期流程设计工具（PDKs）现已面市，并预计将于2013年可提供客户产品流片。

GLOBALFOUNDRIES首席技术官Gregg Bartlett表示：“GLOBALFOUNDRIES投入FinFET研发已经超过10年，我们将以此为基础让这项技术得以进入生产阶段。我们有信心透过这项深厚的基础带领业界实现FinFET的量产，正如我们在高-K金属栅技术（ HKMG）领域的成就。”

以HKMG专业技术为架构基础

FinFET架构采用传统的二维晶体管设计，将导电通道置于侧面，形成由电流控制栅极包围的三维“鳍”状结构。FinFET技术的最大亮点就是其优异的低功耗特性。三维晶体管设计具有电压低运行且漏电少的固有特点，即在移动应用中可延长电池寿命，或降低数据中心网络芯片等插入式应用的耗电量。

VLSI Research市场调查公司董事长兼首席执行官G. Dan Hutcheson表示：“很多人并不知道FinFET的架构基础与时下推动行动发展的HKMG技术相同。HKMG技术在减少漏电方面实现了重大创新，FinFET则在此基础上又向前推进了一大步，突破了今后多年的技术发展障碍。但是，要充分挖掘FinFET技术的价值，企业需要具备HKMG技术量产能力。GLOBALFOUNDRIES公司在这个方面起步较早，已拥有两年的HKMG大批量制造经验。”

3D晶体管并非皆可一概而论

GLOBALFOUNDRIES制定了一套新的技术定义方法，并据此开发出经济高效且功耗优化的FinFET技术，成为移动SoC市场的理想之选。14nm-XM架构实现了性能与功耗的完美平衡，并成功将芯片尺寸和成本降至最低。与此同时，其构造方式可带来最佳的可制造性与设计便利，并允许设计师重复使用上一代产品中的部分IP。除了晶体管结构外，这项技术还充分关注了SoC级的需求，如支持全系统性能和特殊的移动应用需求。

打造全面SoC优化解决方案的另一个关键因素是要会运用整个生态系统的专业知识，包括EDA和设计解决方案合作伙伴以及IP提供商。FinFET技术离不开创新思维的支持，特别是来自设计社区的真知灼见。GLOBALFOUNDRIES的制程研发和技术架构团队一直与内部设计团队和设计生态系统合作伙伴保持着密切协作，共同优化技术和设计环境。

GLOBALFOUNDRIES最近宣布与ARM达成一项新的多年合作协议，共同为采用FinFET制程技术的ARM处理器打造最佳的SoC解决方案。在共同优化ARM Cortex-A系列处理器方面，ARM和GLOBALFOUNDRIES已经积累了多年合作经验，而新的协议进一步延续了此前的合作，将推动生产IP平台的发展，促进客户迅速转移至三维FinFET晶体管技术。

ARM物理IP部门副总经理Dipesh Patel表示：“在不断发展中的超级移动时代，FinFET技术将是下一代智能移动设备发展的关键推手。通过我们与GLOBALFOUNDRIES多年的接触与协同优化，我们将为共同的客户提供先进的系统性能并帮助他们加速过渡以尽早利用FinFET技术带来的优势。这成果将成为基于下一代ARM处理器和GPUs的、面向移动市场的SoC的开发平台。”

【发表评论】【新闻评论】【论坛】【收藏此页】

更多有关晶体管的新闻： more

·罗姆开始量产世界最小尺寸的晶体管封装“VML0806” 9/14/2012
·美高森美推出用于大功率航空交通管制的射频(RF)晶体管 9/11/2012
·WiTricity展示系统采用宜普高频氮化镓场效应晶体管 8/24/2012
·英飞凌推出全新射频功率LDMOS晶体管 7/13/2012
·飞思卡尔推出增强耐用性的射频功率晶体管 6/29/2012
·新研发复合材料大幅提升有机晶体管传输速率 5/3/2012
·NICT和田村制作所开发出氧化镓晶体管，耐压高于SiC 1/9/2012
·恩智浦发布采用2mm x 2mm 3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管 12/1/2011
·[图]瑞萨新款SiGe:C异质接面晶体管NESG7030M04提供高水平噪声效能 9/29/2011
·宜普推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管EPC2012 8/18/2011

更多有关二极管、三极管的新闻：

·[图]艾迈斯欧司朗推出新款白光LED，提供高效的植物照明解决方案 6/27/2021
·[图]性能更佳，固化更快 - DELO推出结构紧凑、效率更高的 LED 点光源固化灯控制单元 1/8/2021
·[图]Microchip 推出最新一代汽车用700 和 1200V 碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管 10/28/2020
·[图]Osram Osconiq S 3030 QD LED 创新量子点技术让LED更高效 10/21/2019
·[图]Vishay的新款带硅树脂透镜和陶瓷底的高功率UV LED具有极长使用寿命 10/13/2015
·[图]Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET 12/9/2014
·[图]Semtech推出符合AEC-Q100标准的车用瞬态二极管 12/9/2014
·[图]IR推出抗辐射的功率MOSFET，耐压20V、导通电阻15mΩ 8/21/2013
·罗姆开始量产世界最小尺寸的晶体管封装“VML0806” 9/14/2012
·[图]ST推出高能效SuperMESH 5功率MOSFET 9/14/2012

对二极管、三极管有何见解？请到二极管、三极管论坛畅所欲言吧！