二极管、三极管
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松下开发出散热特性提高尺寸缩小的肖特基势垒二极管
http://cn.newmaker.com
9/11/2012 9:03:00 AM
日经BP社
松下元器件公司发布了散热特性较该公司原产品提高28%的肖特基势垒二极管(SBD)“DB2P系列”(图)。系智能手机、平板终端和笔记本电脑机身电源 电路部分用产品。预定从2012年12月开始量产,月产量为300万个。
一般来说,元器件的封装尺寸和散热特性存在此消彼长的关系。小型封装品虽然可以提高部件的安装密度,但因面积变小散热特性就会变差,因此必须采用降低部件安装密度等的散热设计。而拥有高散热特性的产品虽然可高密度安装,但为保持高散热特性,就需要扩大封装尺寸。因此,最终无论哪种情况都存在部件安装面积要增大的课题。
此次的开发品通过采用改进了引线封装(Lead package)形状的封装“PMCP(power mount CSP)”,在提高散热性的同时实现了小型化(图)。据称,通过优化了向电路基板的散热量和向空气中的散热量,兼顾了小型化和散热性。新产品“DB2P40100L”在使散热特性提高28%的同时,使体积较该公司原产品“DB2J41100L”缩小了39%,并将厚度减薄53%(图3)。散热特性方面,开发品的接合温度为147℃(电流:1A,外部气温:25℃时),而原产品为203℃。外形尺寸为1.6mm×1.2mm×0.33mm。
DB2P40100L的正向电压(VF)低至0.39V(最大值,1A时)也是特点之一。二极管在电压逐渐上升并超过VF时,开始流过正向电流(IF)。因此,VF以下的电压就损失掉了。通过降低VF,电源就能以低损失电压向产品供电。
此次的开发品与该公司原产品相比VF降低了33%。据称,是以150nm工艺规则的加工技术形成JBS构造而实现的。JBS构造是指,在金属与半导体的接合部——肖特基结区域,以相等间隔形成微细的P型半导体,从而抑制肖特基结部产生的逆向漏电流的构造。(记者:久米 秀尚,《日经电子》)
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