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松下开发出散热特性提高尺寸缩小的肖特基势垒二极管
http://cn.newmaker.com 9/11/2012 9:03:00 AM  日经BP社
松下开发出散热特性提高尺寸缩小的肖特基势垒二极管松下元器件公司发布了散热特性较该公司原产品提高28%的肖特基势垒二极管(SBD)“DB2P系列”(图)。系智能手机、平板终端和笔记本电脑机身电源电路部分用产品。预定从2012年12月开始量产,月产量为300万个。

一般来说,元器件的封装尺寸和散热特性存在此消彼长的关系。小型封装品虽然可以提高部件的安装密度,但因面积变小散热特性就会变差,因此必须采用降低部件安装密度等的散热设计。而拥有高散热特性的产品虽然可高密度安装,但为保持高散热特性,就需要扩大封装尺寸。因此,最终无论哪种情况都存在部件安装面积要增大的课题。

此次的开发品通过采用改进了引线封装(Lead package)形状的封装“PMCP(power mount CSP)”,在提高散热性的同时实现了小型化(图)。据称,通过优化了向电路基板的散热量和向空气中的散热量,兼顾了小型化和散热性。新产品“DB2P40100L”在使散热特性提高28%的同时,使体积较该公司原产品“DB2J41100L”缩小了39%,并将厚度减薄53%(图3)。散热特性方面,开发品的接合温度为147℃(电流:1A,外部气温:25℃时),而原产品为203℃。外形尺寸为1.6mm×1.2mm×0.33mm。

DB2P40100L的正向电压(VF)低至0.39V(最大值,1A时)也是特点之一。二极管在电压逐渐上升并超过VF时,开始流过正向电流(IF)。因此,VF以下的电压就损失掉了。通过降低VF,电源就能以低损失电压向产品供电。

此次的开发品与该公司原产品相比VF降低了33%。据称,是以150nm工艺规则的加工技术形成JBS构造而实现的。JBS构造是指,在金属与半导体的接合部——肖特基结区域,以相等间隔形成微细的P型半导体,从而抑制肖特基结部产生的逆向漏电流的构造。(记者:久米 秀尚,《日经电子》)

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