二极管、三极管技术动态


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·	[图]Vishay Siliconix扩充PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET家族 11/14/2011
·	[图]Linear新推双通道、单片4A低损耗PowerPath理想二极管LTC4415 11/14/2011
·	[图]Vishay发布采用独特SurfLight表面发射器技术的新款850nm红外发射器 11/10/2011
·	压电—光电效应可将LED效能提升4倍 11/4/2011
·	[图]Vishay Siliconix推出通过JAN认证的军用级N沟道功率MOSFET 10/31/2011

·	[图]Vishay推出超小SMD封装的功率型Mini LED 10/27/2011
·	西铁城电子开发出远超1万lm的白色LED，亮度约为原chp的4倍 10/21/2011
·	[图]Vishay Siliconix再次刷新业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET记录 10/20/2011
·	[图]ST推新款高压肖特基整流二极管助力效能和稳健性 10/17/2011
·	[图]Vishay Siliconix发布新款E系列MOSFET器件 10/12/2011

·	[图]瑞萨新款SiGe:C异质接面晶体管NESG7030M04提供高水平噪声效能 9/29/2011
·	赛威科技发布两款PSR控制器SF6010和SFL658 9/28/2011
·	[图]Vishay发布新款超小型ESD保护二极管VCUT05D1-SD0 9/22/2011
·	[图]IR推出新车用40V至200V车用MOSFET系列 9/16/2011
·	[图]英飞凌推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET 9/13/2011

·	[图]Intersil推出全球首款高速双通道6A MOSFET驱动器ISL89367 9/13/2011
·	[图]恩智浦推出超紧凑型电源管理二合一型产品PBSM5240PF 8/19/2011
·	[图]Vishay扩展VLMW41XX系列，确保LED应用的颜色均匀性 8/18/2011
·	宜普推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管EPC2012 8/18/2011
·	[图]Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET--SiB437EDKT 8/17/2011

·	NXP发布最新电源管理方案，集成低VCEsat晶体管和Trench MOSFET 8/16/2011
·	Allegro新增汽车级三相MOSFET预驱动器IC A4933 8/15/2011
·	欧姆龙与IceMos开始量产采用MEMS工艺技术的超结构造MOSFET 8/8/2011
·	Littelfuse TVS二极管阵列新增SP1006系列实现出色的ESD保护 8/1/2011
·	瑞萨电子推出面向消费类产品中电机驱动的100A大电流功率MOSFET 8/1/2011

·	威世展示可支持155℃的电源电感器和非对称双MOSFET 7/26/2011
·	低成本多串半桥谐振LED驱动方案可实现92%的效率 7/24/2011
·	[图]IR推出PQFN封装新系列功率MOSFETs 7/21/2011
·	[图]日本牛尾电机发布用于LED的200mm晶圆曝光装置及激光剥离装置 7/21/2011
·	[图]LUMEX定制LED延长10倍寿命、节约50%成本 7/20/2011

·	Littelfuse TVS二极管数组性能实现重大升级 7/19/2011
·	[图]凌力尔特推出高准确度温度至电压转换器 LTC2997 7/18/2011
·	MILMEGA针对EMC测试推出三款新品延伸 7/18/2011
·	CISSOID发布80V双串列小信号二极管“木卫三” 7/13/2011
·	[图]Linear新推温度至电压转换器LTC2997，以1℃的准确度测量远端二极管 7/13/2011

·	[图]IR新推40V至75V车用MOSFET，适于低导通电阻应用 7/12/2011
·	科锐1200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管的开关损耗可锐减50% 7/11/2011
·	应用材料发布快速热处理系统，引领RTP技术发展 7/8/2011
·	[图]Avago三款全新直插型LED为电子标志应用建立新的性能标准 7/7/2011
·	[图]Diodes推出互补性双MOSFET组合DMC4040SSD 6/24/2011

·	[图]ST发布采用第六代STripFET技术的功率MOSFET最新产品 6/21/2011
·	[图]Vishay发布12个用于太阳能电池旁路保护的45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器 6/16/2011
·	[图]宜普电源转换公司宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管 6/16/2011
·	[图]IR推出采用最新HEXFET MOSFET硅技术的PQFN 2mm x 2mm封装 6/16/2011
·	[图]ST推出首款符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率MOSFET系列 6/16/2011

·	[图]飞兆开发出功率级非对称双MOSFET模块FDMS36xxS 6/15/2011
·	瑞萨电子公开耐压600V的功率MOSFET产品详情 6/8/2011
·	飞兆新增工业类型封装的PowerTrench MOSFET器件 6/7/2011
·	三菱电机发布具有电流测量功能的SiC制MOSFET 6/3/2011
·	[图]NextPower以行业最低RDS全面提升MOSFET家族效率 6/2/2011


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