二极管、三极管技术动态


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·	美高森美全新肖特基二极管瞄准大功率高压应用 11/22/2012
·	[图]飞兆发布SiC双极结型晶体管系列 11/22/2012
·	[图]Microchip推出集成MOSFET驱动器的高电压模拟降压PWM控制器 11/19/2012
·	[图]Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器VOM1271 11/13/2012
·	中科院研制出太赫兹肖特基二极管及电路 11/13/2012

·	[图]TI最新降压转换器TPS92510可驱动高亮度LED 11/7/2012
·	[图]Diodes新型封装肖特基二极管可节省空间高达66% 11/2/2012
·	罗姆推出小型肖特基势垒二极管“RBE系列” 11/2/2012
·	[图]Vishay E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件 11/1/2012
·	Diodes为轻巧便携式产品提供超微型二极管 10/29/2012

·	[图]Vishay推出采用PLCC-2封装的新款紫外线LED 10/25/2012
·	罗姆开发出世界最小“0402尺寸”齐纳二极管 10/24/2012
·	[图]Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列 10/22/2012
·	[图]安森美推出一对优化的超小超薄小信号MOSFET 10/22/2012
·	英飞凌打造第五代SiC肖特基势垒二极管 10/15/2012

·	[图]宜普公司推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的开发板 10/12/2012
·	[图]Intersil扩展业内领先的“HIP”桥式驱动器产品HIP212x系列 10/10/2012
·	Vishay推出采用P沟道TrenchFET® Gen III技术的MOSFET-SiA447DJ 10/8/2012
·	NXP推多款汽车认证双通道Power-SO8 MOSFET 9/27/2012
·	GLOBALFOUNDRIES推出下一代FinFET晶体管架构 9/25/2012

·	罗姆开始量产世界最小尺寸的晶体管封装“VML0806” 9/14/2012
·	[图]ST推出高能效SuperMESH 5功率MOSFET 9/14/2012
·	DAS针对LED生产中工业活性废气处理开发出LARCH系统 9/11/2012
·	美高森美推出用于大功率航空交通管制的射频(RF)晶体管 9/11/2012
·	[图]松下开发出散热特性提高尺寸缩小的肖特基势垒二极管 9/11/2012

·	WiTricity展示系统采用宜普高频氮化镓场效应晶体管 8/24/2012
·	[图]Vishay发布新款超亮LED VLMx1500-GS08系列，发光强度达180mcd 8/20/2012
·	[图]Vishay推出采用小尺寸0402 ChipLED封装的多色彩新型超亮LED 8/16/2012
·	[图]IR推出AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET 8/15/2012
·	飞兆推出两款新型P通道PowerTrench MOSFET 8/10/2012

·	罗姆开发出耐压40V的功率MOSFET 8/9/2012
·	NXP扩大晶体管产品阵容发布60款BJT和12款MOSFET 8/1/2012
·	[图]飞兆推出新型低功率LED驱动器集成MOSFET 7/31/2012
·	[图]英飞凌发布全新TVS二极管ESD3V3S1-B系列 7/17/2012
·	瑞萨电子推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管 7/12/2012

·	日本京都大学试制出耐压超过20kV的SiC二极管 7/10/2012
·	飞思卡尔推出增强耐用性的射频功率晶体管 6/29/2012
·	[图]Vishay Siliconix 的新款 N沟道TrenchFET®功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录 6/28/2012
·	Vishay推出新款小尺寸ESD保护二极管VCUT07B1-HD1 6/27/2012
·	[图]瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET 6/26/2012

·	[图]IR推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列 6/25/2012
·	NXP新型MOSFET扩展超小型MOSFET产品组合 6/25/2012
·	[图]Vishay推出采用超小外形尺寸的新款双向非对称单线ESD保护二极管 6/25/2012
·	Linear发布二极管控制器LTC4353，可取代两个肖特基二极管 6/18/2012
·	[图]罗姆发布第二代SiC制MOSFET，可抑制因SBD内置和体二极管导致的通电劣化现象 6/18/2012

·	[图]Vishay推出采用小尺寸绿色封装的新款非过零光敏光耦 6/11/2012
·	NXP Trench 6 MOSFET通过175℃高温下超过1,600小时的延长寿命测试 6/11/2012
·	NXP发布采用Trench 6技术的全新汽车级功率MOSFET 6/6/2012
·	日本试制出了耐压高达21.7kV的SiC制PiN二极管 6/6/2012
·	Microsemi RF功率MOSFET产品线新增成员DRF1400 6/5/2012


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