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·[图]罗德与施瓦茨发布R&S NRPxxS和R&S NRPxxSN USB接口三通道二极管功率探头 4/7/2015
·日本开发出深紫外LED,光输出功率超过90mW可取代杀菌用汞灯 4/7/2015
·[图]Vishay新款40V TrenchFET®功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案 4/2/2015
·[图]Vishay新款BiSy单线超低电容ESD保护二极管可为便携式电子设备节省宝贵空间 4/1/2015
·[图]Vishay新款20V芯片级MOSFET可帮助超便携应用进一步节省空间并延长电池工作时间 3/20/2015
·[图]Littelfuse瞬态抑制二极管阵列具有较高的浪涌处理能力和较低的电容,可保护低压CMOS设备 3/17/2015
·飞兆推出低导通电阻的800V耐压功率MOSFET 3/17/2015
·东芝上市安装在双面散热封装中的低耐压功率MOSFET 3/9/2015
·[图]Vishay新款20V MOSFET可显著提高便携式电子产品的功率密度和可靠性 3/5/2015
·[图]Littelfuse推出为快速充电外围设备而优化的低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列 2/11/2015
·东芝推出导通电阻仅为18.5mΩ的60V耐压车用功率MOSFET 2/3/2015
·[图]Vishay 的新款超薄BiAs单线ESD保护二极管非常适用于各种便携式电子产品 1/30/2015
·东芝推出1200V耐压SiC肖特基势垒二极管,用于工业设备等 1/30/2015
·[图]Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET 1/22/2015
·东芝推出导通电阻仅2.6mΩ的75V耐压n沟道型功率MOSFET 1/6/2015
·全球光电市场价值或已达1500亿美元 12/29/2014
·[图]Littelfuse推出符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管 12/24/2014
·[图]Vishay推出的新款超薄汽车级PIN光电二极管,其感应面积可达7.5mm2 12/21/2014
·普渡大学成功利用锗制成CMOS晶体管,向后硅时代迈进一步 12/15/2014
·UV LED市场潜力凸显,UV-A占最大市场比例 12/10/2014
·[图]Littelfuse推出超低电容TVS二极管阵列,提供优于其他解决方案的箝位性能和ESD保护 12/9/2014
·[图]Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET 12/9/2014
·[图]Semtech推出符合AEC-Q100标准的车用瞬态二极管 12/9/2014
·[图]IR针对锂离子电池保护推出全新功率MOSFET 12/4/2014
·[图]意法半导体推出MDmesh M2系列低导通电阻650V耐压超结功率MOSFET 12/4/2014
·[图]Vishay推出采用超小尺寸MicroSMF eSMP®封装的首个新系列稳压二极管 11/17/2014
·[图]IR推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列 10/29/2014
·[图]Littelfuse公司宣布推出瞬态抑制二极管阵列SP1012系列 10/21/2014
·[图]IR新型功率MOSFET为小功率电机提供基准性能 10/14/2014
·[图]Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET--SiHx25N50E 10/9/2014
·[图]Littelfuse为符合AEC-Q101标准的车用瞬态抑制二极管增添两个新系列 9/25/2014
·[图]罗姆推出支持51~150V高压的齐纳二极管UDZLV系列,主要用于车载ECU等 9/23/2014
·[图]Littelfuse推出低电容型瞬态抑制二极管阵列,较硅解决方案可将箝位电压降低50% 9/16/2014
·[图]Vishay推出新款高性能汽车级PIN光电二极管 9/11/2014
·[图]Vishay的新款VRPower® DrMOS SiC620尺寸更小且更高效 9/9/2014
·[图]Littelfuse瞬态抑制二极管阵列系列将ESD保护与共模EMI滤波相结合,以节省成本和空间 8/26/2014
·[图]Diodes推出高压线性稳压器晶体管ZXTR2000系列 8/21/2014
·[图]Littelfuse推出低电容型瞬态抑制二极管阵列,相比同类技术可将箝位电压降低15% 8/20/2014
·[图]ST新增经DLA认证的抗辐射器件JANSR双极晶体管 8/19/2014
·[图]IR为DC-DC应用提供新型FastIRFET双功率MOSFET 8/14/2014
·[图]Littelfuse扩大带可定制升级筛选和分类处理流程的高可靠性瞬态抑制二极管的供货 8/6/2014
·[图]Littelfuse推出新型瞬态抑制二极管阵列,相比同类技术可将箝位电压降低60% 7/22/2014
·赛威科技新推LED驱动芯片,可PWM和模拟调光 7/21/2014
·[图]宜普EPC第四代氮化镓电晶体面世 7/9/2014
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·Vishay将在2014年中国(成都)电子展展出业界最先进技术 7/7/2014
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·[图]Littelfuse宣布推出200W瞬态抑制二极管阵列,提供比市场同类解决方案更优越的箝位保护 7/1/2014

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